sanyu-electron各種濺射方法及相關(guān)運(yùn)用分析

發(fā)布日期：2024-12-24      瀏覽次數(shù)：692

sanyu-electron各種濺射方法及相關(guān)運(yùn)用分析

濺射原理

它是一種將薄膜附著到物質(zhì)上的方法，與電鍍不同，它是在真空中進(jìn)行的，不使用化學(xué)品。 （在半導(dǎo)體制造中，濕法工藝稱為干法工藝。）

1. 將待涂覆的樣品和薄膜的原材料（目標(biāo)）放在附近。

2. 整體處于真空狀態(tài)，樣品與靶材之間施加電壓。

3. 電子和離子高速運(yùn)動(dòng)，離子與目標(biāo)碰撞。高速運(yùn)動(dòng)的電子和離子與氣體分子碰撞，撞擊分子的電子并變成離子。

4. 與目標(biāo)碰撞的離子會(huì)排斥目標(biāo)粒子。 (濺射現(xiàn)象)

5. 被排斥的原料顆粒碰撞并粘附在樣品上，形成薄膜。



各種濺射方法

介紹的原理是DC濺射，但已經(jīng)設(shè)計(jì)出各種方法來(lái)彌補(bǔ)其缺點(diǎn)。以下濺射方法是典型的。

1. 直流濺射 – 在兩個(gè)電極之間施加直流電壓的方法

2. 射頻濺射 – 施加交流電的方法（高頻）

3. 磁控濺射 – 一種通過(guò)在靶側(cè)使用磁鐵產(chǎn)生磁場(chǎng)來(lái)從樣品中分離等離子體的方法。

4. 離子束濺射——一種在遠(yuǎn)離目標(biāo)或樣品的位置產(chǎn)生離子并加速并施加到目標(biāo)的方法。

其他方法包括面向目標(biāo)、ECR（電子回旋加速器）和半導(dǎo)體制造中使用的準(zhǔn)直以及長(zhǎng)距離方法。此外，通過(guò)改變靶的形狀和磁體的布置，磁控管方法已經(jīng)開(kāi)發(fā)出各種方法。



直流濺射

這是第一個(gè)設(shè)計(jì)的濺射方法。盡管DC濺射具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單等許多優(yōu)點(diǎn)，但它具有以下問(wèn)題。

1. 需要產(chǎn)生輝光放電，而且器件內(nèi)部真空度比較低，因此存在殘余氣體的影響。具體地，膜與氣體反應(yīng)，或者氣體被捕獲在膜內(nèi)。

2. 氣體在等離子體狀態(tài)下分離成離子和電子，樣品也暴露在高溫等離子體中。由于溫度上升等原因可能會(huì)造成損壞。

3. 如果原材料（靶材）是絕緣體，離子就會(huì)積聚在表面，放電就會(huì)停止。



射頻濺射

一種向絕緣目標(biāo)施加交流電（高頻）的方法。

1. 將目標(biāo)和樣品靠近放置。

2. 將高頻電壓施加到真空室和靶材上。

3. 由于它是交流電，因此粒子加速的方向根據(jù)電壓而變化。

4. 由于電子比離子更輕且更容易移動(dòng)，因此到達(dá)導(dǎo)電室的電子流入電路。

5. 靶側(cè)的電子無(wú)處逃逸，變得更加密集。

6. 結(jié)果，靶材側(cè)產(chǎn)生負(fù)偏壓，離子被吸引到靶材上并可以濺射。



磁控濺射

這是一種減少直流濺射中等離子體影響的方法。由于等離子體被限制在目標(biāo)附近，因此濺射速度也更快。

1. 將背面帶有磁鐵的目標(biāo)放置在靠近樣品的位置。

2. 通過(guò)施加電壓來(lái)進(jìn)行濺射。

3. 磁場(chǎng)使電子沿著磁場(chǎng)線螺旋移動(dòng)。

4. 等離子體在電子周?chē)a(chǎn)生，可以集中濺射。

特征

即使在高頻下也可使用 / 樣品附近不會(huì)產(chǎn)生等離子體，不會(huì)造成損壞 / 飛濺量大

缺點(diǎn)

目標(biāo)數(shù)量減少的方式存在不均勻性。



離子束濺射

在列出的四種方法中，這是不使用放電的方法。

從離子槍（對(duì)離子發(fā)生器產(chǎn)生的離子進(jìn)行加速并釋放的裝置）釋放的離子照射到目標(biāo)上并飛濺。 DC濺射受到等離子體中的離子和電子等各種粒子的影響，但它是一種僅使用您想要用于濺射的離子的方法。向離子槍供應(yīng)惰性氣體以連續(xù)產(chǎn)生離子。 （將原材料本身電離并直接用樣品轟擊它稱為離子鍍。）

特征

由于不需要通過(guò)放電產(chǎn)生等離子體，因此即使在高真空（無(wú)雜質(zhì)混入）下也可以/離子源是獨(dú)立的，因此易于設(shè)定條件/不依賴于目標(biāo)的導(dǎo)電率

缺點(diǎn)

設(shè)備復(fù)雜、昂貴/成膜速度不快



濺射設(shè)備配置

根據(jù)方法的不同，它們也有所不同，但除了離子束濺射之外，它們幾乎是相同的。

1. 真空室（氣體入口、樣品出口[快速鍍膜機(jī)采用前門(mén)，方便操作]）

2. 排氣裝置（旋轉(zhuǎn)泵：放電時(shí)不需要高真空）

3. 樣品臺(tái)（在三宇電子，經(jīng)常取出和放入的樣品臺(tái)位于底部。）

4. 目標(biāo)安裝支架

5. 電源（高頻、高壓電源等）

6. 控制裝置

快速涂布機(jī)SC系列結(jié)合了上述要素，只需連接主體和泵即可使用。



濺射的使用方法

隨著射頻濺射等技術(shù)的發(fā)展，現(xiàn)在不僅可以形成金屬，還可以形成多種材料的薄膜，并且現(xiàn)在得到了廣泛的應(yīng)用。

• 磁盤(pán)（垂直磁記錄介質(zhì)的產(chǎn)生）

• CD/DVD（記錄面金屬膜）

• 半導(dǎo)體（電路生成、存儲(chǔ)器[鐵電薄膜]、各種傳感器）

• 磁頭（用于高密度記錄硬盤(pán)；最新磁頭采用多層薄膜）

• 噴墨打印機(jī)頭

• 液晶顯示裝置（透明電極的生成）

• 有機(jī)EL顯示裝置（透明電極的產(chǎn)生）

• 高亮度LED

• 電子顯微鏡樣品的制備（導(dǎo)電膜抗靜電）

• 光催化薄膜

• 分析（識(shí)別表面上濺射而不是成膜的材料。）

• 納米機(jī)器（形狀記憶合金薄膜）

• 在塑料、玻璃等上生成電磁屏蔽膜。

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