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      日本microphase石墨烯合成設(shè)備MPCVD-50

      訪問次數(shù):2718

      更新日期:2025-05-02

      簡(jiǎn)要描述:

      日本microphase石墨烯合成設(shè)備MPCVD-50
      用于碳納米管的合成、碳成膜、納米陶瓷成膜、氮化、硫?qū)倩锍赡さ取?/p>

      日本microphase石墨烯合成設(shè)備MPCVD-50
      品牌其他品牌燃料電加熱鍋爐
      結(jié)構(gòu)形式立式出口壓力高壓

      日本microphase石墨烯合成設(shè)備MPCVD-50

      用于碳納米管的合成、碳成膜、納米陶瓷成膜、氮化、硫?qū)倩锍赡さ取?/p>

      目的 :用于合成碳納米管、在粉末樣品上沉積碳膜以及各種 CVD 膜沉積的通用管式爐型熱 CVD 設(shè)備。
      通過增加氨氣、各種CVD反應(yīng)氣體、升華固體前驅(qū)體、液體前驅(qū)體的引入單元,
      可應(yīng)用于氮化、硫?qū)倩铮ǘ蚧fMoS2等)層狀材料沉積等。
      特征 :
      •  配備液體燃料(乙醇)引入系統(tǒng),可用于無(wú)法安裝烴類氣體的場(chǎng)所。

      •  3系統(tǒng)質(zhì)量流量氣體流量控制系統(tǒng),可以進(jìn)行精確的氣體控制。

      •  真空排氣系統(tǒng)是標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備,可用作真空爐或氣氛爐。

      •  緊湊而堅(jiān)固的外殼設(shè)計(jì),易于安裝在桌面實(shí)驗(yàn)室工作臺(tái)上。

      •  高度可擴(kuò)展且易于處理任何類型的處理。

      LIB電池用Si負(fù)極材料上的碳涂層

       

      二硫化鉬薄膜

      長(zhǎng) CNT/Si 的 SEM 圖像

      粉末狀 CNT 的 SEM 圖像

      日本microphase石墨烯合成設(shè)備MPCVD-50

      主要規(guī)格

      基本配置管式爐正常使用溫度400-1000℃
      爐內(nèi)尺寸60mmφ×L260mm
      溫度控制1區(qū)可編程溫度控制器
      外形尺寸W300mm x H200mm x D186mm
      電容700W
      芯管材料石英
      尺寸OD50mm x ID46mm x L900mm
      氣體控制質(zhì)量流量控制器
      引入氣體類型

      載氣:N2 或 Ar

      還原氣體:H2

      烴類氣體:C2H2 或 C2H4 或 CH4

      真空計(jì)波登管真空計(jì)
      排氣泵旋轉(zhuǎn)泵
      外形尺寸W156mm x H200mm x D300mm
      液體物料引入系統(tǒng)
      催化劑前驅(qū)體引入機(jī)制
      外形尺寸W1100mm×H1000mm×D500mm



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